路由器常见内存容量说识别

     （1）HYUNDAI（现代）

现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。其SDRAM芯片编号格 式 为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s， 具体的编号含义可以在现代的网站上找到：
其中HY代表现代的产品：
5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；
<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、 4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、 16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；
<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；
<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；
<9> 代表接口（0=LVTTL［Low Voltage TTL］接口）；
<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；
<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；
<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或 3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。

另外，以前LGS(LG Semicon)也是韩国的一大内存芯片厂商，但后来被HY兼并。LGS SDRAM内存芯片编号格式 为：GM72V <12> <34> <5> 1 <6> <7> <8> <9.10>
其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；V代表3.3V；<12>代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；& lt;34>表示数据位宽(一般为4、8、16等)；<5>代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；1代表I/O接 口：LVTTL；<6>表示内核版本；<7>代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；<8>代表封装（T=常见的 TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；<9.10>代表速度 （7.5=7.5ns［133MHz］，8=8ns［125MHz］，7K=10ns［PC-100 CL2或 3］，7J=10ns［100MHz］，10K=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=15ns［66MHz］）。
以上的内存编号只是属于旧编号，下面是现代最新编号的规则，不过大体上还是相同，这里就不再重复了。

     （2）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星内存也是市场上常见的内存芯片之一 。三星SDRAM内存芯片编号规则可以看看下面详细的列表：
除了DRAM，我们还可以了解一下RDRAM的芯片编号：
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号，以KM418RD8C为例：
KM表示三星内存；
4代表RAM种类（4=DRAM）；
18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；
RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；
8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；