现代内存颗粒怎么样？好不好？

Q：我买了一条金士顿的内存条，DDR3 4GB的内存，内存上面的颗粒怎么是现代的内存颗粒?和我机器上的另外一条金士顿不一样，另外的一条金士顿内存是尔必达的颗粒。

A： 基本上没有什么问题的，现代内存多见于品牌机里面，金士顿使用的不同的颗粒生产内存这个没什么关系，不同批次采购不同的颗粒而已，整体的设计规格是一样的。现代内存颗粒和尔必达(尔必达最近已经申请了破产保护，内存商采购颗粒肯定不止一家的哦，只要保证正品即可)内存颗粒都是非常好的内存颗粒，金士顿的内存条假货多，只要根据一些常规的防伪手段检验没问题就基本差不多了。

现代内存颗粒的编号也是由四段字母或数字组成，具体分布请看下图。A、B四部分的含义与三星内存颗粒编号的含义相同，分别表示该内存颗粒的生产企业及生产日期。C、D部分所包含的内容主要是指内存的相关规格。接下来我们就详细分解。

A部分不用多说，铁定都是Hynix的LOGO。

B部分是生产日期，由三个数字和一个字母组成，和三星内存颗粒的编号一样，第一个数字表示生产年份，后两位数字表示在该年的第XX周生产。最后的字母，由于在官方文件中没有解释，笔者也未弄明白。

C部分也是表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。根据频率、延迟参数不同，分别用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。

其中：

“D5”代表DDR500(250MHz)，延迟为3-4-4;

“D43”代表DDR433(216MHz)，延迟为3-3-3;

“D4”代表DDR400(200MHz)，延迟为3-4-4;

“J”代表DDR333(166MHz)，延迟为2.5-3-3;

“M”代表DDR266(133MHz)，延迟为2-2-2;

“K”代表DDR266A(133MHz)，延迟为2-3-3;

“H”代表DDR266B(133MHz)，延迟为2.5-3-3;

“L”代表DDR200(100MHz)，延迟为2-2-2。

补充：紧接这C部分的数字后面，实际上还有一个编号，只是这个编号一般并没有被标示出来。他用来表示内存颗粒的工作温度和应用等级。用“Bank、I、E”来表示不同的工作温度和应用等级，其中：

“Blank”代表商业型，工作温度在0 °C~70 °C之间;

“E”代表增强型，工作温度在-25°C~85 °C之间;

“I”代表工业型，工作温度在-40°C~85 °C之间。

总结:

1. HY代表着该颗粒是现代制造的产品。

2. 内存芯片类型：(5D=DDR SDRAM)

3. 处理工艺及供电：(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)

4. 芯片容量密度和刷新速度：(64：64M 4K刷新;66：64M 2K刷新;28：128M 4K刷新;56：256M 8K刷新;57：256M 4K刷新;12：512M 8K刷新;1G：1G 8K刷新)

5. 内存条芯片结构：(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)

6. 内存bank(储蓄位)：(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)

7. 接口类型：(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)

8. 内核代号：(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)

9. 能源消耗：(空白=普通;L=低功耗型)

10. 封装类型：(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))

11. 封装堆栈：(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))

12. 封装原料：(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)

13. 速度：(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)

14. 工作温度：(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))