基站射频功率扩大满足在3.8GHz运行

    无线基础设施行业的首个LDMOS晶体管，满足在3.8GHz频段运行的WiMAX的严格要求

    近期，凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术，飞思卡尔半导体(NYSE:FSL，FSL.B)成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。

    这也是业内射频横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术首次在这一领域获得重大突破。

    飞思卡尔已经提供了一系列12VGaAs假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)产品，并计划继续开发高压GaaspHEMT技术，推出更高功率的GaAs器件，在WiMAX系统中使用，另外也适用于2GHz和6GHz频段之间的其它应用。

    通过提供采用射频LDMOS和GaAsPHEMT技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够真正支持任何高功率无线基础设施应用，其中LDMOS的性能高达3.8GHz，而GaAsPHEMT的性能则高达6GHz。

    “在HV7射频LDMOS技术领域取得的最新进展，使飞思卡尔在未来的WiMAX和其它高频率市场服务方面处于非常有利的位置，”飞思卡尔副总裁兼射频部门总经理GavinP.Woods说，“我们的高压GaAs技术开发将继续为目前市场上所有具竞争力的产品提供高效解决方案，并将基础设施产品延伸到6GHz产品领域。”

    WiMAX：要求最为严格

    WiMAX系统采用64积分调幅(QAM)正交频分复用(OFDM)信号。QAMOFDM信号处理向功率放大器的设计人员提出了独特挑战。回退中的射频功率晶体管线性是至关重要的，不仅体现在具有屏蔽要求的频谱形式中，也体现在具有EVM(误差向量幅度)要求的积分形式中。在本消息发布之前，硅LDMOS技术在3.5GHz频段上不能提供令人满足的射频功率性能表现。这就意味着合成半导体设备(如GaAsPHEMT)是设计者的唯一选择。现在，飞思卡尔的高级3.5 GHz HV7 LDMOS设备提供了WiMAX系统所需的高效、线性和EVM性能，为设计者提供了在合成半导体和硅LDMOS之间进行选择的机会。

    HV7射频LDMOS的供货信息

    首批3.5GHzLDMOS设备的样品现已问世。MRF7S38075H是一个75瓦特的P1dB射频晶体管，平均功率为42dBm(16W)，满足在3.5GHz频段运行的WiMAX设备的性能要求。此外，40W和10W的P1dB 3.5 GHz设备也有望于2006年2月面市。这三款先进的LDMOS设备扩大了飞思卡尔现有的射频功率晶体管系列的产品阵容，面向在2.3、2.5和3.5 GHz频段运行的新兴WiMAX/WiBRO设备。

    高压GaAs的供货信息

    高级HV7LDMOS设备完善了12VGaAsPHEMT设备的功能，使其能够适应3.5GHz的WiMAX应用，目前正在开发的新型高压GaAs设备将可在高达6GHz的频段运行。这就使它们成为在该频率范围内运行的WiMAX和其它无线应用的理想之选。当运行电压达到20 V以上，GaAs设备能够达到高达100 W的输出功率，同时还能满足数字调制系统的严格要求。

    飞思卡尔的第一款高压GaAsPHEMT的样品有望于2006年第三季度面市。