高通今天在赌城举办的CES 2017展会上公布了骁龙835完整的规格信息,作为10nm的商用平台首发,这一点的确成为了宣讲主力。
一个有趣的环节是,高通拿出骁龙835真片和我国的一角硬币、美分以及骁龙820对比,对于内部空间寸土寸金的手机来说,封装面积缩小了35%(相较820)的骁龙835将帮助手机做的更薄或者集成更多功能。
大家最关心的CPU规格方面,骁龙835启用的Kryo 280核心,Big 4+Little 4总计八核心设计。前者主频提升到2.45GHz,二缓2MB,后者提升到1.9GHz,二缓1MB。按照高通的说法,应用载入、网页浏览、VR等会调用大核,另外80%的时间都是小核在工作。
内部设计方面,高通没有透露太多,只是表示内存控制器、互联架构都是自己设计,非公版。
对于主频,其实外界普遍有些失望,因为按照ARM的设计,A73在14/16nm下就可以跑上2.8GHz,Kryo本应更优秀。所以我们猜测终端上市后(10nm LPP)可能会有“鸡血超频款”,或者高通在为“骁龙836”埋伏笔?
GPU主频未公布,高通称3D渲染比530提升了25%。另外,对比G71,540每时钟处理纹理过滤的效率也提升1倍,达到16texels(三线)。
高通还介绍,骁龙835中的CPU、GPU、DSP和软件框架组合提供了一个高性能的异构计算平台,为下一代沉浸VR/AR和人工智能做了强力支撑。
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