近日,根据iFixit在他们拆解的iphone7 Plus发现,该机采用了一颗编号为THGBX6T0T8LLFXF的东芝闪存(NAND)芯片,而这颗芯片就是TLC芯片。这意味着,128GB和256GB容量版iPhone 7可能采用了TLC闪存。需要指出的是,过去iPhone 6手机的部分64GB和128GB版本也采用了TLC闪存。
不了解固态硬盘的朋友,可能不知道什么是TLC闪存。手机硬盘由闪存颗粒组成,TLC就是闪存颗粒的一种。
TLC即Triple-Level Cell的缩写,是闪存的一种制造工艺,相比SLC闪存每个存储单元只能保存1bit数据,MLC闪存的存储单元可保存2bit,TLC则可保存3bit。TLC利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。可能有人会说这不就是个集成度多少的问题吗?事实不是这样。
无论是SLC、MLC、SLC其一个单元本身的晶体管数量是相似的,也就是说我们用物理上差不多的东西储存了更多的信息。但是存储更多的信息就等于带来了更多不稳定。但TLC制造成本比较低,仅有MLC闪存的50%,不过使用寿命和读写速度就要比MLC低很多了。
有人认为,苹果公司此举非常不厚道,国行iphone 7 32GB容量与128GB容量为800元人民币,只增加了96GB的容量。而目前最贵的采用PCI-E接口128GB MLC固态硬盘也就500元左右。
苹果公司通过容量大小提升产品溢价的确不厚道,但要是因为采用TLC闪存颗粒而怀疑硬盘使用寿命,大可不必。
以128GB为例,1000次擦写就是128*1000=128000GB,假如你每天写入20GB,一年就是365*20=7300GB,128000/7300≈17.5。换句话说,你每天用20GB也要17年才能达到设计使用寿命。如果iphone7能用17年,你应该担心主板能不能撑这么久,而不是硬盘。
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