内存参数终极优化之SDRAM篇

内存在电脑中的重要性和地位仅次于CPU，其品质的优劣对电脑性能有至关重要的影响。为充分发挥内存的潜能，必须在BIOS设置中对与内存有关的参数进行调整。下面针对稍老一点的支持Intel PentiumⅢ、CeleronⅡ处理器的Intel 815E/815EP芯片组主板、VIA(威盛)694X芯片组主板和支持AMD Thunder bird(雷鸟)、Duron(钻龙)处理器的VIA KT133/133A芯片组主板，介绍如何在最常见的Award BIOS 6．0中优化内存设置。对于使用较早芯片组的主板和低版本的Award BIOS，其内存设置项相对要少一些，但本文所介绍的设置方法同样是适用的。 

Intel 815E/815EP芯片组主板

在这类主板BIOS的Advanced Chipset Features(高级芯片组特性)设置页面中一般包含以下内存设置项：

Set SDRAM Timing By SPD(根据SPD确定内存时序) 

　　可选项：Disabled，Enabled。

　　SPD(Serial Presence Detect )是内存条上一个很小的芯片，它存储了内存条的工作参数信息。如果使用优质的品牌内存，则可以将DRAM Timing By SPD设置成Enabled，此时，就无需对下面介绍的BIOS内存参数进行设置了，系统会自动根据SPD中的数据确定内存的运行参数。有些兼容内存的SPD是空的或者感觉某些品牌内存的SPD参数比较保守，想充分挖掘其潜能，则可以将该参数设置成Disabled，这时，就可以对以下的内存参数进行调整了。

SDRAM CAS Latency Time(内存CAS延迟时间) 

　　可选项：2，3。

　　内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。在133MHz频率下，品质一般的兼容内存大多只能在CAS=3下运行，在CAS=2下运行会使系统不稳定、丢失数据甚至无法启动。CAS延迟时间是一个非常重要的内存参数，对电脑性能的影响比较大，Intel与VIA就PC133内存规范的分歧也与此参数有关，Intel认为PC133内存应能稳定运行于133MHz频率、CAS=2下，而VIA认为PC133内存能稳定运行于133MHz频率即可，并未特别指定CAS值，因此Intel的规范更加严格，一般只有品牌内存才能够满足此规范，所以大家感觉Intel的主板比较挑内存。

SDRAM Cycle Time Tras/Trc(内存Tras/Trc时钟周期)

　　可选项：5/7，7/9。

　　该参数用于确定SDRAM内存行激活时间和行周期时间的时钟周期数。Tras代表SDRAM行激活时间(Row Active Time)，它是为进行数据传输而开启行单元所需要的时钟周期数。Trc代表SDRAM行周期时间(Row Cycle Time)，它是包括行单元开启和行单元刷新在内的整个过程所需要的时钟周期数。出于最佳性能考虑可将该参数设为5/7，这时内存的速度较快，但有可能出现因行单元开启时间不足而影响数据传输的情况，在SDRAM内存的工作频率高于100MHz时尤其是这样，即使是品牌内存大多也承受不了如此苛刻的设置。 

SDRAM RAS-TO-CAS Delay(内存行地址传输到列地址的延迟时间)

　　可选项：2，3。

　　该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对SDRAM进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3。 

SDRAM RAS Precharge Time(内存行地址选通脉冲预充电时间)

　　可选项：2，3。

　　该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。将预充电时间设为2可以提高SDRAM的性能，但是如果2个时钟周期的预充电时间不足，则SDRAM会因无法正常完成刷新操作而不能保持数据。

Memory Hole At 15M-16M(位于15M～16M的内存保留区)

　　可选项： Disabled，Enabled。

　　一些特殊的ISA扩展卡的正常工作需要使用位于15M～16M的内存区域，该参数设为Enabled就将该内存区域保留给此类ISA扩展卡使用。由于PC’99规范已不再支持ISA扩展槽，所以新型的主板一般都没有ISA插槽，因而应将该参数设为Disabled。

System Memory Frequency(系统内存频率) 

　　可选项：AUTO、100MHz、133MHz。

　　此项设置实现内存异步运行管理功能。AUTO：根据内存的特性自动设定内存的工作频率；100MHz：将内存强制设定在100MHz频率下工作；133MHz：将内存强制设定在133MHz频率下工作。

Memory Parity/ECC Check(内存奇偶/ECC校验)

　　可选项：Disabled，Enabled。

　　如果系统使用了ECC内存，可以将该参数设为Enabled，否则一定要将该参数设成Disabled。ECC表示差错校验和纠正(Error Checking and Correction)一般是高档服务器内存条所具备的功能，这种内存条有实现ECC功能的内存颗粒，使系统能够检测并纠正内存中的一位数据差错或者是检测出两位数据差错。ECC功能可以提高数据的完整性
和系统的稳定性，这对服务器尤其重要，但ECC会造成一定的性能损失

    VIA芯片组主板

　　VIA芯片组主板一般比Intel芯片组主板内存设置选项要丰富一些，在这类主板BIOS的Advanced Chipset Features(高级芯片组特性)设置页面中一般包含以下内存设置项：

Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(内存速度设定)

　　可选项：Turbo(高速)，Fast(快速)，Medium(中等)，Normal(正常)，SDRAM 8/10 ns。

　　该选项用于设定内存的速度，对于SDRAM内存条，设定为SDRAM 8/10 ns即可。
 
SDRAM Clock(内存时钟频率)

　　可选项：HOST CLK，HCLK+33M(或HCLK-33M)。

　　该参数设置内存的异步运行模式。HOST CLK表示内存运行频率等于系统的外频，HCLK+33M表示内存运行频率等于系统外频再加上33MHz，HCLK-33M表示内存运行频率等于系统外频减去33MHz。如PentiumⅢ 800EB时，BIOS自动使该参数的可选项出现HOST CLK和HCLK-33M，如果使用PC133内存，可以将该参数设为HOST CLK，如果使用PC100内存，则可以将该参数设为HCLK-33M，这样就可使系统配合性能较低的PC100内存使用。内存异步功能使系统对内存的兼容性的提升是比较明显的，也是VIA芯片组一项比较重要的功能。

Bank Interleave(内存Bank交错)

　　可选项：Disabled，2-Bank，4-Bank。

　　内存交错使SDRAM内存各个面的刷新时钟信与读写时钟信号能够交错出现，这可以实现CPU在刷新一个内存面的同时对另一个内存面进行读写，这样就不必花费专门的时间来对各个内存面进行刷新。而且在CPU即将访问的一串内存地址分别位于不同内存面的情况下，内存面交错使CPU能够实现在向后一个内存面发送地址的同时从前一个内存面接收数据，从而产生一种流水线操作的效果，提高了SDRAM内存的带宽。因此，有人甚至认为启用内存交错对于系统性能的提高比将内存CAS延迟时间从3改成2还要大。
不过，内存交错是一个比较高级的内存设置选项，有一些采用VIA 694X芯片组的主板由于BIOS版本较旧，可能没有该设置项，这时可以升级主板的BIOS。如果在最新版的BIOS中仍未出现该设置项，那就只有通过某些VIA芯片组内存BANK交错开启软件，如WPCREdit和相应的插件(可以从“驱动之家”网站下载)来修改北桥芯片的寄存器，从而打开内存交错模式。

  SDRAM Driver Strength(内存访问信号的强度)

　　可选项：Auto，Manual。

　　此选项用于控制内存访问信号的强度。一般情况下可以将该选项设置成Auto，此时芯片组承担内存访问信号强度的控制工作并自动调整内存访问信号的强度以与电脑中安装的内存相适应。如果需要超频或排除电脑故障，则可以将该参数设为Manual，这时就可以手工调整SDRAM Driver value(内存访问信号强度值)的数值。
 
SDRAM Driver value(内存访问信号强度值)

　　可选项：00至FF(十六进制)。

　　该选项决定了内存访问信号强度的数值。要注意的是只有将SDRAM Driver Strength选项设为 Manual时，SDRAM Driver value的数值才是有效的。SDRAM Driver value的范围是十六进制的00至FF，其数值越大，则内存访问信号的强度也越大。内存对工作频率是比较敏感的，当工作频率高于内存的标称频率时，将该选项的数值调高，可以提高电脑在超频状态下的稳定性。这种作法尽管没有提高内存的工作电压(有一些超频功能较强的主板可以调整内存的工作电压)，但在提高SDRAM Driver value的数值时仍然要十分慎重，以免造成内存条的损坏。

Fast R-W Turn Around(快速读写转换)

　　可选项： Enabled，Disabled。

　　当CPU先从内存读取数据然后向内存写入数据时，通常存在额外的延迟，该参数可以降低这种读写转换之间的延迟。将该参数设置成Enabled，可以降低内存读写转换延迟，从而使内存从读状态转入写状态的速度更快。然而，如果内存不能实现快速读写转换，则会造成数据丢失和系统不稳定，这时就需要将该参数设置成Disabled。

注意：在BIOS中对内存进行优化设置可能会对电脑运行的稳定性造成不良影响，所以建议内存优化后一定要使用测试软件进行电脑稳定性和速度的测试。如果您对自己内存的性能没有信心，那么最好采取保守设置，毕竟稳定性是最重要的。如果因内存优化而出现电脑经常死机、重启动或程序发生异常错误等情况，只要清除CMOS参数，再次设置成系统默认的数值就可以了。