内存的封装形式,内存芯片的引脚形式

　武林网讯 封装形式
　　封装形式也就是内存芯片的引脚形式，目前主流的封装形式主要有以下几种：
　　BLP:英文全称为Bottom Leaded Plastic（底部引出塑封技术）是新一代封装技术中的佼佼者，其芯片面积与填充装面积之比大于1：1.1，符合CSP(Chip Size Package)填封装规范。不仅高度和面积极小，而且电气特性得到了进一步的提高，制造成本也不高，广泛用于SDRAMRDRAMDDR等新一代内存制 造上。
　　TinyBGA:英文全称为Tiny Ball Grid Array。其芯片面积与封装面积之比不小于1：1.14，是KingMax的专利，属于BGA封装技术的一个分支。
　　TSOP II:英文全称为Thin Small Outline Package（薄型小尺寸封装），目前广泛应用于SDRAM内存的制造上，但是随着时间的推移和技术的进步，TSOP II已越来越不适用于高频、高速的新一代内存。

　 　DRAM封装技术从最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。从现在主流SDRAM的模组来看，除了胜创科技（KingMAX）首创的TinyBGA 技术和樵风科技首创的BLP封装模式外，绝大多数还是采用TSOP的封装技术。采用TinyBGA封装的内存大小是TSOP封装内存的三分之一，也就是 说，同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍。此外，TinyBGA封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅 有0.36mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，同时其线路阻抗大大减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。

　　随着DDR、 RDRAM的陆续推出，内存频率提高到了一个更高的水平，TSOP封装技术渐渐有些力不从心了，难以满足DRAM设计上的要求。从Intel力推的 Rambus来看，采用了新一代的μBGA封装形式，相信未来DDR等其他高速DRAM的封装也会采取相同或不同的BGA封装方式。而SDRAM架构 （PC133、DDR）的低成本优势及广泛的应用领域会使其继续占据一定的市场份额。相信未来的DRAM市场将会是多种结构并存的局面。

　　数据带宽
　 　所谓数据带宽就是内存的数据传输速度，它是衡量内存性能的重要标准。通常情况下，PC133的SDRAM在额定频率（100MHZ）下工作时，其峰值传 输速度可以达到800MB/秒。工作在133MHZ下的PC133内存，其峰值传输速度已经达到了1.06GB/秒，这一速度比PC100内存提高了 200MB/S，在实际使用中，其性能的提高是很明显的。对于DDR内存而言，由于在同一个时钟的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHZ时， 它的实际传输速度可以达到2.1 GB/S的水准，也就是普通SDRAM内存工作在266MHZ下所拥有的带宽。此外，双通道的PC800的Rambus DRAM内存其数据传输带宽也达到了3.2GB/S速度。