武林网讯 内存（RAS）和上。当前的标准是SDRAM（同步DRAM的缩写），顾名思义，它是同步于系统时钟频率的。SDRAM内存访问采用突发（burst）模式，它和原理是，SDRAM在现有的标准制造的DRAM，大都可以「筛选」出时钟频率达到133MHz的PC133颗粒，可将尖峰数据传输率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及芯片组能配合，就可提高整体系统性能。此外，就DDR而言，由于其在时钟上升和下降沿都能传输数据，所以在相同133MHz的时钟频率下，其尖峰数据传输将可大幅提高两倍，达到2.1GB／sec的水准，其性能甚至比现阶段Rambus所能达到的1.6GB／sec更高。
传输模式：传统SDRAM采用并列数据传输方式，Rambus则采取了比较特别的串行传输方式。在串行的传输方式之下，资料信号都是一进一出，可以把数据带宽降为16bit，而且可大幅提高工作时钟频率（400MHz），但这也形成了模组在数据传输设计上的限制。也就是说，在串接的模式下，如果有其中一个模组损坏、或是形成断路，便会使整个系统无法正常开机。因此，对采用Rambus内存模组的主机板而言，便必须将三组内存扩充插槽完全插满，如果Rambus模组不足的话，只有安装不含RDRAM颗粒的中继模组（ContinuityRIMMModule；C-RIMM），纯粹用来提供信号的串接工作，让数据的传输畅通。模组及PCB的设计：由于Rambus的工作频率高达400MHz，所以不管是电路设计、线路布局、颗粒封装及记忆模组的设计等，都和以往SDRAM大为不同。以模组设计而言，RDRAM所构成的记忆模组称之为RIMM（RambusInMemoryModule），目前的设计可采取4、6、8、12与16颗等不同数目的RDRAM颗粒来组成，虽然引脚数提高到了184只，但整个模组的长度却与原有DIMM相当。另外，在设计上，Rambus的每一个传输信道所能承载的芯片颗粒数目有限（最多32颗），从而造成RDRAM内存模组容量将有所限制。也就是说，如果已经安装了一只含16颗RDARM颗粒的RIMM模组时，若想要再扩充内存，最多只能再安装具有16颗RDARM的模组。另外，由于RDARM在高频下工作将产生高温，所以RIMM模组在设计时必须加上一层散热片，也增加了RIMM模组的成本。
颗粒的封装：DRAM封装技术从最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。从现在主流SDRAM的模组来看，除了胜创科技首创的TinyBGA技术和樵风科技首创的BLP封装模式外，绝大多数还是采用TSOP的封装技术。随着DDR、RDRAM的陆续推出，将内存频率提高到一个更高的水平上，TSOP封装技术渐渐有些力不从心了，难以满足DRAM设计上的要求。从Intel力推的RDRAM来看，采用了新一代的μBGA封装形式，相信未来DDR等其他高速DRAM的封装也会采取相同或不同的BGA封装方式。尽管RDRAM在时钟频率上有了突破性的进展，有效地提高了整个系统性能，但毕竟在实际使用上，其规格与现阶段主流的SDRAM有很大的差异，不仅不兼容于现有系统芯片组而成了Intel一家独揽的局面。甚至在DRAM模组的设计上，不仅使用了最新一代的BGA封装方式，甚至在电路板的设计上，都采取用了8层板的严格标准，更不用说在测试设备上的庞大投资。使得大多数的DRAM及模组厂商不敢贸然跟进。
再说，由于Rambus是个专利标准，想生产RDRAM的厂商必须先取得Rambus公司的认证，并支付高额的专利费用。不仅加重了各DRAM厂商的成本负担，而且它们担心在制定未来新一代的内存标准时会失去原来掌握的规格控制能力。
由于RIMM模组的颗粒最多只能为32颗，限制了Rambus应用，只能用在入门级服务器和高级PC上。或许就PC133而言，在性能上无法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技术后，其数据带宽可达到2.1GB／sec，不仅领先Rambus所能达到的1.6GB／sec标准，而且由于其开放的标准及在兼容性上远比Rambus高的原故，估计将会对Rambus造成非常大的杀伤力。更何况台湾在威盛与AMD等联盟的强力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼风唤雨，也成了未知数。至少，在低价PC及网络PC方面，Rambus的市场将会很小。
结论：尽管Intel采取了种种不同的策略布局及对策，要想挽回Rambus的气势，但毕竟像Rambus这种具有突破性规格的产品，在先天上便存在有着诸多较难克服的问题。或许Intel可以藉由更改主机板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM与RDRAM共同存在的过渡性方案（S-RIMM、RIMMRiser）等方式来解决技术面上的问题。但一旦涉及规模量产成本的控制问题时，便不是Intel所能一家独揽的，更何况在网络趋势下的计算机应用将愈来愈趋于低价化，市场需求面是否对Rambus有兴趣，则仍有待考验。 在供给方面，从NEC独创的VCMSDRAM规格（VirtualChannelMemory）、以及Samsung等DRAM大厂对Rambus支持态度已趋保守的情况来看，再加上相关封装及测试等设备上的投资不足，估计年底之前，Rambus内存模组仍将缺乏与PC133甚至DDR的价格竞争力。就长远的眼光来看，Rambus架构或许可以成为主流，但应不再会是主导市场的绝对主流，而SDRAM架构（PC133、DDR）在低成本的优势，以及广泛的应用领域，应该会有非常不错的表现。相信未来的DRAM市场，将会是多种结构并存的局面。
具最新消息，可望成为下一世代内存主力的RambusDRAM因芯片组延迟推出，而气势稍挫的情况之下，由全球多家半导体与电脑大厂针对DDRSDRAM的标准化，而共同组成的AMII（AdvancedMemoryInternationalInc、）阵营，则决定积极促进比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600与PC2100DDRSDRAM规格的标准化，此举使得RambusDRAM与DDRSDRAM的内存主导权之争，迈入新的局面。全球第二大微处理器制造商AMD，决定其Athlon处理器将采用PC266规格的DDRSDRAM，而且决定在今年年中之前，开发支持DDRSDRAM的芯片组，这使DDRSDRAM阵营深受鼓舞。全球内存业者极有可能将未来投资的重心，由RambusDRAM转向DDRSDRAM。
综上所述，今年DDRSDRAM的发展势头要超过RAMBUS。而且DDRSDRAM的生产成本只有SDRAM的1.3倍，在生产成本上更具优势。未来除了DDR和RAMBUS外还有其他几种有希望的内存产品，下面介绍其中的几种：SLDRAM(SyncLinkDRAM,同步链接内存)：SLDRAM也许是在速度上最接近RDRAM的竞争者。SLDRAM是一种增强和扩展的SDRAM架构，它将当前的4体（Bank）结构扩展到16体，并增加了新接口和控制逻辑电路。
SLDRAM像SDRAM一样使用每个脉冲沿传输数据。
VirtualChannelDRAM：VirtualChannel“虚拟信道”是加装在内存单元与主控芯片上的内存控制部分之间，相当于缓存的一类寄存器。使用VC技术后，当外部对内存进行读写操作时，将不再直接对内存芯片中的各个单元进行读写操作，而改由VC代理。VC本身所具有的缓存效果也不容小觑，当内存芯片容量为目前最常见的64Mbit时，VC与内存单元之间的带宽已达1024bit。即便不考虑前/后台并列处理所带来的速度提升，光是“先把数据从内存单元中移动到高速的VC中后再由外部进行读写”这一基本构造本身就很适于提高内存的整体速度。每块内存芯片中都可以搭载复数的VC，64Mbit的产品中VC总数为16个。不但每个VC均可以分别对应不同的内存主控设备（MemoryMaster，此处指CPU、南桥芯片、各种扩展卡等等），而且在必要时，还可以把多个VC信道捆绑在一起以对应某个占用带宽特别大的内存主控设备。因此，在多任务同时执行的情况下，VC-SDRAM也能保证持续地进行高效率的数据传输。VC-SDRAM还有一个特点，就是保持了与传统型SDRAM的管脚兼容，厂家不需要重新进行主板布线设计就能够使主板支持它。不过由于它与传统型SDRAM控制方式不同，因此还需要得到控制芯片组的支持方能使用，目前已支持VC-SDRAM的芯片组有VIA的ApolloPro133系列、ApolloMVP4和SiS的SiS630等。
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