武林网讯 DDR2 的定义： DDR2（Double Data Rate 2）
SDRAM 是由 JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代 DDR 内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 内存却拥有两倍于上一代 DDR 内存预读 取能力（即：4bit 数据读预取）。换句话说，DDR2 内存每个时 钟能够以 4 倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制 总线 4 倍的速度运行。 此外，由于 DDR2 标准规定所有 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II 封装形式， FBGA 封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起 DDR 的发展历程，从第一代应用到个人电脑的 DDR200 经过 DDR266、DDR333 到今天的双通道 DDR400 技术，第一代 DDR 的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的 工作速度；随着 Intel 最新处理器技术的发展，前端总线对内存 带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的 DDR2 内 存将是大势所趋。
DDR2 与 DDR 的区别：
在了解 DDR2 内存诸多新技术前，先让我们看一组 DDR 和 DDR2 技术对比的数据。
1、延迟问题：
从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2 的实际工作频 率是 DDR 的两倍。这得益于 DDR2 内存拥有两倍于标准 DDR
内存的 4BIT 预读取能力。换句话说，虽然 DDR2 和 DDR 一样， 都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方
式，但 DDR2 拥有两倍于 DDR 的预读取系统命令数据的能力。 也就是说，在同样 100MHz 的工作频率下，DDR 的实际频率为
200MHz，而 DDR2 则可以达到 400MHz。
这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的 DDR 和 DDR2 内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR200
和 DDR2-400 具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400 和 DDR400 具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s ， 但 是 DDR400 的 核 心 工 作 频 率 是 200MHz ， 而 DDR2-400 的核心工作频率是 100MHz，也就是说 DDR2-400 的延迟要高于 DDR400。
2、封装和发热量：
DDR2 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两 倍于 DDR 的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情 况下，DDR2 可以获得更快的频率提升，突破标准 DDR 的 400MHZ 限制。
DDR 内存通常采用 TSOP 芯片封装形式，这种封装形式可以 很好的工作在 200MHz 上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是 DDR 的核心频率很难突破 275MHZ 的原因。而DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP 封装形式，FBGA 封装提供了更好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。
DDR2 内存采用 1.8V 电压，相对于 DDR 标准的 2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一
点的变化是意义重大的。
DDR2 采用的新技术：
除了以上所说的区别外，DDR2 还引入了三项新的技术，它 们是 OCD、ODT 和 Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II 通过 OCD 可以提高信号的完整性。DDRII 通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。
ODT：ODT 是内建核心的终结电阻器。我们知道 使用 DDR，SDRAM 的主板上面为了防止数据线终端反射信号 需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2 可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用 DDR2 不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是 DDR 不能比拟的。
Post CAS：它是为了提高 DDR II 内存的利用效率而设定的。在 PostCAS 操作中，CAS 信号（读写/命令）能够被插到RAS 信号后面的一个时钟周期，CAS 命令可以在附加延迟 （Additive Latency）后面保持有效。原来的 tRCD（RAS 到CAS 和延迟）被 AL（Additive Latency）所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4 中进 行设置。由于 CAS 信号放在了 RAS 信号后面一个时钟周期，因此 ACT 和 CAS 信号永远也不会产生碰撞冲突。
总的来说，DDR2 采用了诸多的新技术，改善了DDR 的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。
