在经历了K3V2的失败之后,海思随后的Kirin 910和Kirin 920表现都还基本令人满意,前者再也不烫了,而后者则兼具了性能、续航,更是支持LTE Cat.6。
目前最新的消息显示海思已经把下一代处理器设计好了,其型号为Kirin 930,依然是big.LITTLE架构设计,采用16nm FinFET工艺。根据台湾媒体的报道,台积电已在8月初试产第一批16nm晶圆,首批产品就是海思的Kirin 930,这应该是世界上首款16nm SOC芯片。
另外还有消息称台积电将于第四季度开始试产16nm FinFET Plus工艺,相比Kirin 930采用的16nm FinFET更加完善,首款产品为苹果的A9处理器。
台湾媒体推测,如果进度顺利的话,Kirin 930采用的16nm FinFET工艺会在第四季度量产,而A9采用的16nm FinFET Plus工艺则会在明年第一季度量产。
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